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IXTH 41N25
80
Fig. 7. Input Admittance
60
Fig. 8. Transconductance
70
60
50
40
50
40
30
T J = -40oC
25oC
125oC
30
20
10
0
T J = 125oC
25oC
-40oC
20
10
0
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
0
20
40
60
80
100
120
140
120
V GS - Volts
Fig. 9. Source Current vs. Source-To-Drain
Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
100
8
V D S = 125V
I D = 20.5A
I G = 10mA
80
6
60
40
20
0
T J = 125oC
T J = 25oC
4
2
0
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0
20
40
60
80
100
120
10000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
f = 1M Hz
C iss
1
Q G - nanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Resistance
1000
100
C oss
C rss
0.1
0.01
0
5
10
15 20 25
V DS - Volts
30
35
40
1
10 100
Pulse Width - milliseconds
1000
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
of the following U.S. patents:
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
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